SJ 50033.119-1997 半导体分立器件CS204型砷化钾微波功率场效应晶体管详细规范
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ID： |
58BCA9E9628E4FF3982D9B79FF381393 |
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0.63 |
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13 |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/119-97,半导体分立器件,CS204型珅化钱微波功率,场效应晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type CS204 GaAs,microwave power field effect transistor,1997.06丒17 发布 1997-10-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,CS204型珅化緑微波功率场效应晶体管 50033小9.97,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type CS204 GaAs,microwave power field effect transistor,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 CS204型碑化镒微波功率场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33 - 85〈半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军级、特,军级和超特军级。分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4586-94场效应晶体管测试方法,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和镀层,引出端材料为可伐,引出端表面镀金,3.2.2 器件结构,中华人民共和国电子工业部!997-06-17发布 !997-10-01批准,—1 —,SJ 50033/119-97,神化像N型沟道肖特基势垒栅,全离子注入平面结构,金属陶甕微带管壳封装,3.2.3 外形尺寸,外形，尺寸见图lo,图1外形尺寸,3.3最大额定值和主要电特性,3.3.1最大额定值,型号Tc = 25 匕,W,Vds,V,Vgs,V,ル,mA,r,匕,T5tg,r,CS204 0.7 12 -6 /dss 175 -65 .175,注:DTg > 25匕时按4.76mW/K线性降额,—2 —,SJ 50033/119-97,3.3.2主要电特性（Ta = 25匕）,loss V^GStoff) 】GSS Rid - c P (Xldb) Gp(idb) ワadd,Vds = 3V,vcs = ov,mA,Vds = 3V,ん=50mA,V,Vgs=-5 ヽ,Yds = OV,mA,"Im = lmA?,vH = iv,% = 100ms,tMD = 1皿,K/W,Vos = 7 ~ 10V,Pi = 24dBm(CS204A),Id = 0,5Idss，B = 9dBm(CS204B),f = 8GHz,dBg dB,最小值最大值最小值最大值最大值最大值最小值最小值典型值,CS204A,100 350 -1.5 -5.5 0.1 210 20,8,20%,CS204B 11,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 4586及本规范的规定,3.5 标志,器件极性标志按图1识别,器件包装盒上的标志应符合GJB 33的规定,4质量保法规定,4.!抽样和检验,抽样和检验按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验按GJB 33和本规范的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定,其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予剔除,筛 选试验方法,测试和试验,(见 GJB 33 表 2) GJB 128方法,3热冲击1051 除高温为150匕、循环为20次外,其余同试验条件C,7中间测试按本规范表1的A2分组,8功率老炼1039 Ta = 25±3C, Vos = 8.5V,P3=0.6W,9最后测试按本规范表1的A2分组;,△loss =初始值的土 15%;,4Vgs（m =初始值的± 15%,或0.5V,取大者;,I css <0*1 mA,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,-3 —,SJ 50033/119-97,4.4.3 C组检验丒,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法按本规范相应的表和下列规定,4.5.1 测试方法,直流参数测试按GJB 4586相应方法或用晶体管图示仪测试,热阻及微波参数测试按本规,范附录的规定方法,表1 A组检验,试验或检验,.GB 4586,LTPD 符号,极限值,单位,方 法条 件最大最小,A1分组GJB 128 5,外观及机械检査2071,A2分组,涌极电流IV. 3 Vds = 3V,VGS = OV,5,loss 100 350 mA,栅一源截止电压IV. 5 Vre = 3V,Id = 10mA,Ycscoff) -1.5 -5.5 V,栅极截止电流IV, 2 Vcs = "5V,V0s = ov,Igss ⑴ 一0.1 mA,A3分組,高温工作Ta = 1251c,5,栅极截止电流IV. 2 Vcs = - 5V,vr……
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